Силовой МОП-транзистор (MOSFET) третьего поколения IRF540 обеспечивает лучшие сочетания быстрого переключения, прочный дизайн транзистора, низкий уровень сопротивления. Корпус TO-220AB универсален для всех коммерческих и промышленных применений при рассеивании мощности до 150 ватт. Транзистор предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других силовых блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.
Характеристики транзистора IRF540N:
- Напряжение сток-исток: 100 Вольт
- Ток сток-исток при 25°C: 28 Ампер
- Импульсный максимальный ток: 110 Ампер
- Напряжение затвор-исток: ±20 Вольт
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,077 Ом
- Входная ёмкость: 1700 пФ
- Задержка включения: 11 нС
- Задержка выключения: 53 нС
- Рассеиваемая мощность: 150 Ватт
- Крутизна характеристики : 8,7 S
- Пороговое напряжение на затворе: 2-4 Вольт
- Максимальный прямой ток внутреннего диода: 28 Ампер
- Импульсный ток внутреннего диода: 110 Ампер
- Время восстановления внутреннего диода: 180 нС
- Корпус: TO-220AB
Аналоги транзистора IRF540:
2SK2314, BUZ21, D84EL2, STP22NE10L, STP24NF10, VN2310N5, КП540, КП746А, STP30NF10, IRFI540N, 2SK1116, MTP33N10E, STP30NF10, MTB33N10E, STB30NF10T4
- Производитель IOR
- Страна производства Китай
