Транзисторы
3
руб.
Характеристики транзистора 2N3906:
Материал p-n-переход...
3
руб.
Характеристики транзистора S8050:
Материал p-n-перехода...
3
руб.
Характеристики транзистора 2N2222:
Материал p-n-переход...
3
руб.
Характеристики транзистора S8050:
Материал p-n-перехода...
3
руб.
Характеристики транзистора A1015:
Материал p-n-перехода...
3
руб.
Характеристики транзистора C1815:
Материал p-n-перехода...
3
руб.
Характеристики транзистора BC327:
Материал p-n-перехода...
3
руб.
Характеристики транзистора 2N2907:
Материал p-n-переход...
35
руб.
Силовой МОП-транзистор (MOSFET) третьего поколения IRF540 обеспечива...
3
руб.
Транзисторы 2N7000 (MOSFET, 60V, 0.4А, TO-92) - кремниевые, полевые МДП, тип к...
7
руб.
Характеристики транзистора КТ3107Е :
Структура p-n-p
Ма...
3
руб.
Характеристики транзистора 2N3904:
Материал p-n-перехода: Si...
3
руб.
Характеристики транзистора BC337:
Материал p-n-перехода...
3
руб.
Характеристики транзистора BC547C:
Структура: NPN
Макс. напр...
32
руб.
IRFZ44N – это N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии...